Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Микросхемы интегральные
Модули памяти

Модули памяти

Популярные
MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR

Micron

MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR
Микросхема: IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

5231 шт - 3-6 недель

1 684 ₽

1 шт — 1 684 ₽

10 шт — 1 558 ₽

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

Micron Technology Inc.

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D
Микросхема: IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA

2937 шт - 3-6 недель

4 397 ₽

1 шт — 4 397 ₽

10 шт — 4 071 ₽

MT53E128M32D2DS-053 AAT:A

Micron

MT53E128M32D2DS-053 AAT:A
Микросхема: IC LPDDR4 4G 128MX32 200WFBGA

2005 шт - 3-6 недель

2 152 ₽

1 шт — 2 152 ₽

10 шт — 1 998 ₽

MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR

Micron

MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR
Микросхема: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

1985 шт - 3-6 недель

1 684 ₽

1 шт — 1 684 ₽

10 шт — 1 558 ₽

MT53E256M32D2DS-053 AUT:B

Micron Technology Inc.

MT53E256M32D2DS-053 AUT:B
Микросхема: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

1603 шт - 3-6 недель

4 110 ₽

1 шт — 4 110 ₽

10 шт — 3 807 ₽

MT53E128M32D2DS-046 WT:A

Micron

MT53E128M32D2DS-046 WT:A
Микросхема: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

1355 шт - 3-6 недель

1 684 ₽

1 шт — 1 684 ₽

10 шт — 1 558 ₽

MT53D512M16D1DS-046 WT:D

Micron Technology Inc.

MT53D512M16D1DS-046 WT:D
Микросхема: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

1200 шт - 3-6 недель

1 842 ₽

1 шт — 1 842 ₽

10 шт — 1 711 ₽

MT53E384M32D2DS-053 AAT:E

Micron Technology Inc.

MT53E384M32D2DS-053 AAT:E
Микросхема: IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

1179 шт - 3-6 недель

3 432 ₽

1 шт — 3 432 ₽

10 шт — 3 181 ₽

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A

Micron

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A
Микросхема: IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

1169 шт - 3-6 недель

2 544 ₽

1 шт — 2 544 ₽

10 шт — 2 354 ₽

MT53E128M32D2DS-053 AIT:A

Micron

MT53E128M32D2DS-053 AIT:A
Микросхема: IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

1158 шт - 3-6 недель

1 962 ₽

1 шт — 1 962 ₽

10 шт — 1 821 ₽

MT53E128M32D2DS-053 IT:A

Micron

MT53E128M32D2DS-053 IT:A
Микросхема: LPDDR4 4G 128MX32 WFBGA

1028 шт - 3-6 недель

1 853 ₽

1 шт — 1 853 ₽

10 шт — 1 716 ₽

MT53D512M16D1DS-046 AIT:D

Micron Technology Inc.

MT53D512M16D1DS-046 AIT:D
Микросхема: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

1025 шт - 3-6 недель

3 605 ₽

1 шт — 3 605 ₽

10 шт — 3 341 ₽

MT53E128M32D2DS-053 WT:A

Micron

MT53E128M32D2DS-053 WT:A
Микросхема: IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

963 шт - 3-6 недель

1 371 ₽

1 шт — 1 371 ₽

10 шт — 1 286 ₽

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E

Micron Technology Inc.

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E
Микросхема: IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

942 шт - 3-6 недель

3 092 ₽

1 шт — 3 092 ₽

10 шт — 2 864 ₽

MT53E512M32D1NP-046 WT:B

Micron

MT53E512M32D1NP-046 WT:B
Микросхема: IC MEMORY DRAM 16G 512MX32 FBGA

844 шт - 3-6 недель

4 226 ₽

1 шт — 4 226 ₽

10 шт — 3 911 ₽

MT53E384M32D2DS-053 AIT:E

Micron Technology Inc.

MT53E384M32D2DS-053 AIT:E
Микросхема: IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

610 шт - 3-6 недель

3 132 ₽

1 шт — 3 132 ₽

10 шт — 2 904 ₽

MT53D512M16D1DS-046 AAT:D

Micron Technology Inc.

MT53D512M16D1DS-046 AAT:D
Микросхема: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

387 шт - 3-6 недель

3 954 ₽

1 шт — 3 954 ₽

10 шт — 3 662 ₽

MT53E256M32D2DS-046 AIT:B

Micron Technology Inc.

MT53E256M32D2DS-046 AIT:B
Микросхема: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

329 шт - 3-6 недель

3 276 ₽

1 шт — 3 276 ₽

10 шт — 3 037 ₽

MT53E128M32D2DS-046 AUT:A

Micron Technology Inc.

MT53E128M32D2DS-046 AUT:A
Микросхема: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

317 шт - 3-6 недель

2 583 ₽

1 шт — 2 583 ₽

10 шт — 2 398 ₽

MT53E128M32D2DS-046 AAT:A

Micron

MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
Микросхема: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

305 шт - 3-6 недель

2 152 ₽

1 шт — 2 152 ₽

10 шт — 1 998 ₽

Модули памяти

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Модули памяти (Интегральные микросхемы)

Модули памяти: цифровая нервная система современной электроники

В мире, где каждое устройство стремится стать умнее и быстрее, модули памяти выполняют роль фундаментальной основы, на которой строится вся цифровая логика. Это не просто пассивные хранилища данных, а высокоскоростные буферы, обеспечивающие бесперебойный диалог между процессором и остальными компонентами системы. Без них невозможна работа ни одного сложного электронного устройства — от системы управления лифтом в вашем доме, где микроконтроллер постоянно считывает и записывает данные о этажах и командах, до профессионального звукового микшера, обрабатывающего несколько аудиопотоков в реальном времени. Их надежность и скорость напрямую определяют отзывчивость интерфейса, стабильность выполнения прошивки и общую производительность конечного продукта, будь то умный счетчик коммунальных ресурсов или бортовой компьютер промышленного станка.

Микросхемы памяти SOIC на печатной плате

Эволюция технологий: от килобайтов к гигабайтам на кристалле

История развития модулей памяти — это гонка за плотностью, энергоэффективностью и быстродействием. Если первые микросхемы статической памяти (SRAM) измеряли свой объем в килобайтах и потребляли значительную мощность, то современные чипы динамической памяти (DRAM) и флеш-памяти (NAND, NOR) вмещают гигабайты данных, оставаясь крайне экономичными. Ключевым прорывом стало изобретение памяти типа DDR, которая передает данные по обоим фронтам тактового импульса, effectively удваивая пропускную способность без увеличения частоты. Это решение стало отраслевым стандартом для вычислительных систем. Параллельно развивалась флеш-память, позволившая создать компактные и энергонезависимые накопители, которые произвели революцию в портативной технике. Сегодня тренды смещаются в сторону низковольтных решений (LPDDR) для мобильных и IoT-устройств и повышения надежности за счет ECC (коррекции ошибок) в ответственных applications, таких как медицинское оборудование и телекоммуникационные серверы.

Разнообразие решений для конкретных инженерных задач

Выбор конкретного типа памяти диктуется архитектурой проекта и экономическими соображениями. Для кэширования критически важных данных, где важна скорость, а не объем, идеально подходит SRAM — ее можно найти в кэш-памяти процессоров, сетевых маршрутизаторах и высокоскоростных буферах связи. Более емкая и дешевая DRAM составляет основную оперативную память в персональных компьютерах, серверах и сложных мультимедийных системах. Ее разновидности, такие как DDR3, DDR4 и DDR5, предлагают различный баланс производительности и энергопотребления. Для хранения прошивки, операционных систем и пользовательских данных применяется энергонезависимая память. NOR Flash часто используется для хранения кода благодаря возможности быстрого произвольного доступа, в то время как более емкая NAND Flash лежит в основе SSD-накопителей и карт памяти. Отдельно стоит выделить серию EEPROM, незаменимую для хранения небольших, но часто изменяемых данных конфигурации, как в автомобильной электронике или системах умного дома.

На что обратить внимание при выборе?

Подбор модуля памяти — это не только поиск по форм-фактору. Несколько ключевых параметров определяют совместимость и производительность:

  • Тип и поколение: DDR3, DDR4, LPDDR4, SRAM, EEPROM — каждый тип имеет свои уникальные характеристики напряжения и таймингов.
  • Объем и организация: Количество мега- или гигабайт (64Mbit, 2GB) и разрядность шины (x8, x16) должны соответствовать требованиям контроллера.
  • Скорость (Тактовая частота или пропускная способность): Обозначается в мегагерцах (МГц) или как пропускная способность (например, PC4-25600). Выбор должен соответствовать возможностям системы.
  • Напряжение питания: Современные чипы работают при пониженном напряжении (1.2V, 1.35V), что критично для энергосберегающих проектов.
  • Корпус: Форм-фактор (SOIC, TSOP, BGA, DIP) определяет технологию монтажа (автоматический или ручной).
  • Дополнительные функции: Наличие ECC (коррекция ошибок) для повышения надежности или функции самообновления (Self-Refresh) для энергосбережения.

Почему заказчики выбирают «Эиком Ру»?

Наш магазин стал надежным партнером для сотен инженеров и компаний именно потому, что мы глубоко понимаем суть ваших задач. Мы предлагаем не просто каталог деталей, а тщательно сформированную базу компонентов от проверенных производителей (Micron, Samsung, Winbond, ISSI), где каждая позиция прошла строгий входной контроль. Это гарантирует, что вы получите именно те микросхемы, которые обеспечат стабильную работу вашего устройства на протяжении всего его жизненного цикла. Мы гордимся своим обширным складским ассортиментом, который позволяет быстро комплектовать заказы и предлагать конкурентные цены без ущерба для качества. А нашим ключевым преимуществом для клиентов со всей России является бесплатная доставка заказов, что делает сотрудничество не только надежным, но и максимально выгодным. Мы ценим ваше время и доверие.

Рекомендуемые товары

Все товары
Рекомендуемые товары
    Microchip Technology
    PIC16F726-I/SOМикросхема: IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28SOIC
    424Кешбэк 63 балла
    Analog Devices Inc.
    LTC6241HVCS8#TRPBFМикросхема: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SO
    1 481Кешбэк 222 балла
    STMicroelectronics
    LD2980CM18TRМикросхема: IC REG LINEAR 1.8V 50MA SOT23-5
    107Кешбэк 16 баллов
    Texas Instruments
    TL061BCPМикросхема: IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
    404Кешбэк 60 баллов
    Texas Instruments
    SN74LVT125PWRМикросхема: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
    145Кешбэк 21 балл
    Texas Instruments
    SN74CBTK6800PWRМикросхема: IC BUS SWITCH 10 X 1:1 24TSSOP
    434Кешбэк 65 баллов
    STMicroelectronics
    LMV324LIPTМикросхема: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
    154Кешбэк 23 балла
    Infineon Technologies
    CY15B256Q-SXATМикросхема: IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
    1 414Кешбэк 212 баллов
    ANALOG DEVICES
    MAX1771CSA+TМикросхема: IC REG CTRLR BST/BUCK-BST 8SOIC
    1 222Кешбэк 183 балла
    Analog Devices Inc./Maxim Integrated
    DS1100Z-35+Микросхема: IC DELAY LINE 5TAP 35NS 8SOIC
    1 772Кешбэк 265 баллов
    Texas Instruments
    SN74LV374ADBRМикросхема: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SSOP
    201Кешбэк 30 баллов
    Microchip Technology
    PIC24FV32KA301T-I/SSМикросхема: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 20SSOP
    710Кешбэк 106 баллов
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП